十年磨一剑 中国LED硅衬底技术取得突破性进展

 　 在LED行业中，我国自主创新的硅衬底LED技术被誉为继碳化硅SiCLED技术、蓝宝石衬底LED技术之外的第三条技术路线，其打破了日本和欧美LED厂商形成的牢固的专利壁垒，拥有完全自主知识产权，可以自由走向国外。
　　难!这是所有了解LED技术的人对在硅衬底上生长LED材料的第一反应。难在哪儿?在2004年以前，30多年的研究并没有解决硅衬底和氮化镓材料的热失配和晶格失配的难题，人们无法得到高质量的氮化镓发光薄膜。
　　好!硅衬底LED技术路线是LED业界几十年梦寐以求的技术路线。好在哪儿?如果能突破硅衬底LED技术难题，实现大尺寸大规模生产，可以大幅降低成本，加速LED照明时代的到来!
　　硅衬底LED技术路线是LED业界梦寐以求的技术路线，但由于技术难度大，因而大都停留在研究室的试水阶段。筚路蓝缕、以启山林——直到2004年，在南昌大学的一间简陋的实验室里，硅衬底LED蓝光芯片率先破茧而出，硅衬底LED技术实现了颠覆性的突破，在世界LED历史上具有划时代的里程碑意义。
　　如今，十年过去，LED硅衬底技术作别了只存在于实验室的历史。在金沙江创投等一批风险投资的倾力支持下，业已发展为拥有晶能光电、中节能晶和照明等10家公司的全产业链产业集群，产业链的销售额2013年达到10亿人民币，2014年将有望达到25亿元。